BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
NOVA partie #:
303-2247489-BSM120D12P2C005
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
BSM120D12P2C005
Paquet Standard:
12
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | Module | |
| Numéro de produit de base | BSM120 | |
| Paquet/caisse | Module | |
| Série | - | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 22mA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | |
| Fonction FET | Silicon Carbide (SiC) | |
| Type FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 10V | |
| Puissance - Max | 780W | |
| Autres noms | Q7641253 |
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