SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
NOVA partie #:
303-2251460-SI4946CDY-T1-GE3
Fabricant::
Pièce de fabricant non:
SI4946CDY-T1-GE3
Paquet Standard:
2,500
Fiche technique:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
| Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Matrices | |
| Fabricant: | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| emballage | Tape & Reel (TR) | |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Type de montage | Surface Mount | |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SO | |
| Numéro de produit de base | SI4946 | |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Série | TrenchFET® | |
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.9mOhm @ 5.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V | |
| Fonction FET | Standard | |
| Type FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Tension drain à source (Vdss) | 60V | |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V | |
| Puissance - Max | 2W (Ta), 2.8W (Tc) | |
| Autres noms | SI4946CDY-T1-GE3DKR SI4946CDY-T1-GE3CT SI4946CDY-T1-GE3TR |
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