SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

NOVA partie #:

303-2247539-SIZ918DT-T1-GE3

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

SIZ918DT-T1-GE3

Paquet Standard:

3,000

Fiche technique:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Fabricant:	Vishay Siliconix
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-PowerPair® (6x5)
Numéro de produit de base	SIZ918
Paquet/caisse	8-PowerWDFN
Série	TrenchFET®
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	16A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Fonction FET	Logic Level Gate
Type FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Tension drain à source (Vdss)	30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 15V
Puissance - Max	29W, 100W
Autres noms	SIZ918DT-T1-GE3CT SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DT-T1-GE3DKR SIZ918DTT1GE3

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