IPN80R600P7ATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-SOT223
شماره محصول پایه	IPN80R600
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	CoolMOS™ P7
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3.5V @ 170µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	20 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	800 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	570 pF @ 500 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	7.4W (Tc)
نامهای دیگر	IPN80R600P7ATMA1DKR INFINFIPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1TR 2156-IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1CT IPN80R600P7ATMA1-ND SP001665004

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!