BSC050N03LSGATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-5
شماره محصول پایه	BSC050
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	18A (Ta), 80A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	35 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2800 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
نامهای دیگر	BSC050N03LSGINCT BSC050N03LS G SP000269785 BSC050N03LSGATMA1INACTIVE BSC050N03LSG BSC050N03LS G-ND BSC050N03LSGATMA1TR BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC050N03LSGXT BSC050N03LSGINDKR BSC050N03LSGINTR-ND Q3390169A BSC050N03LSGINTR BSC050N03LSGINCT-ND BSC050N03LS GINACTIVE-ND BSC050N03LSGINDKR-ND BSC050N03LSGATMA1CT BSC050N03LSGATMA1DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!