SIA462DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
قسمت # NOVA:
312-2273522-SIA462DJ-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIA462DJ-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SC-70-6 Single | |
| شماره محصول پایه | SIA462 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 18mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.4V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 570 pF @ 15 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SIA462DJ-T1-GE3CT SIA462DJ-T1-GE3TR SIA462DJ-T1-GE3DKR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SIA469DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
DTC143ZETLRohm Semiconductor- SQA410EJ-T1_GE3Vishay Siliconix
DMP3125L-7Diodes Incorporated
RQ3E100BNTBRohm Semiconductor- SIA471DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
RF4E080GNTRRohm Semiconductor
RUC002N05T116Rohm Semiconductor
DMN3016LPS-13Diodes Incorporated
