RF4E080GNTR

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	HUML2020L8
شماره محصول پایه	RF4E080
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	8A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	17.6mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	5.8 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerUDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	295 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2W (Ta)
نامهای دیگر	RF4E080GNTRTR RF4E080GNTRDKR RF4E080GNTRCT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!