SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
قسمت # NOVA:
312-2285230-SQS411ENW-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQS411ENW-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 53.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8W | |
| شماره محصول پایه | SQS411 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 27.3mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® 1212-8W | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 3191 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 53.6W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQS411ENW-T1_GE3DKR SQS411ENW-T1_GE3CT SQS411ENW-T1_GE3TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
RF05VYM1SFHTRRohm Semiconductor
ECS-2532HS-160-3-GECS Inc.
SQS401ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
SQS415ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
PTN5150AHXMPNXP USA Inc.
NCV8460ADR2Gonsemi
NCP331SNT1Gonsemi
SQS401EN-T1_BE3Vishay Siliconix- SI7611DN-T1-GE3Vishay Siliconix
