SQS401ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
قسمت # NOVA:
312-2340259-SQS401ENW-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQS401ENW-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8 | |
| شماره محصول پایه | SQS401 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 29mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 21.2 nC @ 4.5 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 40 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1875 pF @ 20 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 62.5W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQS401ENW-T1_GE3DKR SQS401ENW-T1_GE3TR SQS401ENW-T1_GE3CT SQS401ENW-T1_GE3-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SQ2389ES-T1_GE3Vishay Siliconix
NJV4030PT3Gonsemi
NJVNJD2873T4G-VF01onsemi
S-2010ANidec Copal Electronics
TJA1051TK/3,118NXP USA Inc.
SQS411ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
KDZVTFTR15BRohm Semiconductor
SI7119DN-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7309DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- BSS138NH6327XTSA2Infineon Technologies
- SIS443DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQS401EN-T1_BE3Vishay Siliconix
