IRFH8334TRPBF

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PQFN (5x6)
شماره محصول پایه	IRFH8334
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	HEXFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	14A (Ta), 44A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.35V @ 25µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	15 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1180 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3.2W (Ta), 30W (Tc)
نامهای دیگر	IRFH8334TRPBFTR IRFH8334TRPBFDKR SP001577860 IRFH8334TRPBFCT

In stock نیاز بیشتری؟

‎$۰٫۴۰۸۹۰

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!