TPN8R903NL,LQ

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-TSON Advance (3.1x3.1)
شماره محصول پایه	TPN8R903
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	U-MOSVIII-H
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	20A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.3V @ 100µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	9.8 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerVDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	820 pF @ 15 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	700mW (Ta), 22W (Tc)
نامهای دیگر	TPN8R903NLLQCT TPN8R903NLLQTR TPN8R903NLLQDKR TPN8R903NL,LQ(S

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!