FDMS86550ET60
MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
قسمت # NOVA:
312-2272796-FDMS86550ET60
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
FDMS86550ET60
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 245A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-PQFN (5x6) | |
| شماره محصول پایه | FDMS86550 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 245A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 8V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 1.65mOhm @ 32A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 154 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 8235 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3.3W (Ta), 187W (Tc) | |
| نامهای دیگر | FDMS86550ET60CT FDMS86550ET60DKR FDMS86550ET60TR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
TPH2R306NH1,LQToshiba Semiconductor and Storage
FDMS86550onsemi- FDMS86350ET80onsemi
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC014N06NSATMA1Infineon Technologies
IAUC120N06S5N017ATMA1Infineon Technologies
AONS66612Alpha & Omega Semiconductor Inc.
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies
BSC016N06NSTATMA1Infineon Technologies- BSC016N06NSATMA1Infineon Technologies
FDMS86500DConsemi
