IMW120R045M1XKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
قسمت # NOVA:
312-2283914-IMW120R045M1XKSA1
شماره قطعه سازنده:
IMW120R045M1XKSA1
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهInfineon Technologies
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصبThrough Hole
بسته دستگاه تامین کننده PG-TO247-3-41
شماره محصول پایه IMW120
فن آوریSiCFET (Silicon Carbide)
سلسلهCoolSiC™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 52A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)15V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 5.7V @ 10mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 52 nC @ 15 V
ویژگی FET-
بسته / موردTO-247-3
Vgs (حداکثر)+20V, -10V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)1200 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1900 pF @ 800 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 228W (Tc)
نامهای دیگرSP001346254

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!