IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
قسمت # NOVA:
312-2283925-IMW120R030M1HXKSA1
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IMW120R030M1HXKSA1
بسته استاندارد:
30
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Through Hole | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PG-TO247-3-41 | |
| شماره محصول پایه | IMW120 | |
| فن آوری | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| سلسله | CoolSiC™ | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 56A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 15V, 18V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 40mOhm @ 25A, 18V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 5.7V @ 10mA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 63 nC @ 18 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-247-3 | |
| Vgs (حداکثر) | +23V, -7V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 1200 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2120 pF @ 800 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 227W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SP001727390 |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SCTW70N120G2VSTMicroelectronics
AIMW120R035M1HXKSA1Infineon Technologies
UJ4C075023K3SUnitedSiC
NTHL020N120SC1onsemi
IMW120R045M1XKSA1Infineon Technologies
G3R20MT12KGeneSiC Semiconductor
IMZ120R045M1XKSA1Infineon Technologies- UJ3C120040K3SUnitedSiC
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon Technologies
G3R40MT12DGeneSiC Semiconductor- IMBG120R030M1HXTMA1Infineon Technologies
- NVHL020N120SC1onsemi
C3M0040120DWolfspeed, Inc.- G3R30MT12KGeneSiC Semiconductor
