NTLJS17D0P03P8ZTAG
MOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
قسمت # NOVA:
312-2285483-NTLJS17D0P03P8ZTAG
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
NTLJS17D0P03P8ZTAG
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 30 V 7A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 6-PQFN (2x2) | |
| شماره محصول پایه | NTLJS17 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 7A (Ta) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 11.3mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 6-PowerWDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±25V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1600 pF @ 15 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 860mW (Ta) | |
| نامهای دیگر | NTLJS17D0P03P8ZTAGOSTR NTLJS17D0P03P8ZTAGOSCT NTLJS17D0P03P8ZTAGOSDKR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
NTLJS7D2P02P8ZTAGonsemi
DMP3028LFDE-13Diodes Incorporated
SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
SSM6J507NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
FDMA6676PZonsemi- DMP3026SFDE-7Diodes Incorporated