NTLJS7D2P02P8ZTAG

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	6-PQFN (2x2)
شماره محصول پایه	NTLJS7
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	7.9A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	2.5V, 4.5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	26.7 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	6-PowerWDFN
Vgs (حداکثر)	±8V
نوع FET	P-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2790 pF @ 10 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	860mW (Ta)
نامهای دیگر	NTLJS7D2P02P8ZTAGOSCT NTLJS7D2P02P8ZTAGOSTR NTLJS7D2P02P8ZTAGOSDKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!