SIA449DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
قسمت # NOVA:
312-2284828-SIA449DJ-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIA449DJ-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 30 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SC-70-6 | |
| شماره محصول پایه | SIA449 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 2.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (حداکثر) | ±12V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2140 pF @ 15 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SIA449DJ-T1-GE3DKR SIA449DJT1GE3 SIA449DJ-T1-GE3TR SIA449DJ-T1-GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
BAV21W-7-FDiodes Incorporated
SIA469DJ-T1-GE3Vishay Siliconix- SIA483DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
NTTFS6H850NLTAGonsemi
SQ3495EV-T1_GE3Vishay Siliconix
PI3USB221EZUAEXDiodes Incorporated
ST3485EBDRSTMicroelectronics- SIA471DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA440DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
MCP6541T-I/LTMicrochip Technology- SIA437DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
IPZ40N04S53R1ATMA1Infineon Technologies
