SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
قسمت # NOVA:
312-2282230-SIA437DJ-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIA437DJ-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
P-Channel 20 V 29.7A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SC-70-6 | |
| شماره محصول پایه | SIA437 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 29.7A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 14.5mOhm @ 8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 900mV @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 90 nC @ 8 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SC-70-6 | |
| Vgs (حداکثر) | ±8V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 20 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2340 pF @ 10 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SIA437DJ-T1-GE3TR SIA437DJ-T1-GE3DKR SIA437DJ-T1-GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SIA447DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
TL3301AF260QGE-Switch
MCP6072T-E/SNMicrochip Technology
LTST-C190EKTLite-On Inc.- SIA449DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
ECX-.327-CDX-1293ECS Inc.- SIA445EDJT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA461DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- SIA429DJT-T1-GE3Vishay Siliconix
