IRL40T209ATMA1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-HSOF-8-1
شماره محصول پایه	IRL40T209
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	StrongIRFET™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	300A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	0.72mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	269 nC @ 4.5 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerSFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	40 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	16000 pF @ 20 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	500W (Tc)
نامهای دیگر	IRL40T209ATMA1CT IRL40T209ATMA1TR SP001648026 IRL40T209ATMA1DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!