NVMYS6D2N06CLTWG

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	onsemi
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	LFPAK4 (5x6)
شماره محصول پایه	NVMYS6
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	Automotive, AEC-Q101
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	17A (Ta), 71A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	6.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2V @ 53µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	20 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	SOT-1023, 4-LFPAK
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1400 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	3.6W (Ta), 61W (Tc)
نامهای دیگر	488-NVMYS6D2N06CLTWGTR 488-NVMYS6D2N06CLTWGDKR 488-NVMYS6D2N06CLTWGCT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!