SI4442DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
قسمت # NOVA:
312-2288800-SI4442DY-T1-E3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SI4442DY-T1-E3
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 30 V 15A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهVishay Siliconix
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده 8-SOIC
شماره محصول پایه SI4442
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهTrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 15A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)2.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 4.5mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 1.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
ویژگی FET-
بسته / مورد8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (حداکثر)±12V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)30 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1.6W (Ta)
نامهای دیگرSI4442DY-T1-E3CT
SI4442DY-T1-E3TR
SI4442DYT1E3
SI4442DY-T1-E3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!