TK210V65Z,LQ

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	4-DFN-EP (8x8)
شماره محصول پایه	TK210V65
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	DTMOSVI
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	15A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	210mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 610µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	25 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	4-VSFN Exposed Pad
Vgs (حداکثر)	±30V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	650 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1370 pF @ 300 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	130W (Tc)
نامهای دیگر	264-TK210V65Z,LQTR-ND 264-TK210V65Z,LQDKR-ND 264-TK210V65ZLQTR 264-TK210V65Z,LQDKR 264-TK210V65Z,LQCT-ND 264-TK210V65Z,LQCT 264-TK210V65ZLQDKR 264-TK210V65Z,LQTR TK210V65Z,LQ(S 264-TK210V65ZLQCT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!