SQM60N20-35_GE3
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
قسمت # NOVA:
312-2274222-SQM60N20-35_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQM60N20-35_GE3
بسته استاندارد:
800
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | TO-263 (D²Pak) | |
| شماره محصول پایه | SQM60 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 35mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 200 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 5850 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 375W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQM60N20-35_GE3CT SQM60N20-35_GE3TR SQM60N20-35_GE3DKR SQM60N20-35_GE3-ND |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
1N4148WS-7-FDiodes Incorporated
BUK7Y4R8-60EXNexperia USA Inc.
MMSZ5263BT1Gonsemi
SQM10250E_GE3Vishay Siliconix
PHB33NQ20T,118Nexperia USA Inc.
FQB34N20LTMonsemi
IPB320N20N3GATMA1Infineon Technologies- SQM90142E_GE3Vishay Siliconix
IXFY36N20X3IXYS
SQJA20EP-T1_GE3Vishay Siliconix
