SQJA20EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
قسمت # NOVA:
312-2287853-SQJA20EP-T1_GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SQJA20EP-T1_GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 200 V 22.5A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® SO-8 | |
| شماره محصول پایه | SQJA20 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 22.5A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 7.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 50mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 200 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 68W (Tc) | |
| نامهای دیگر | SQJA20EP-T1_GE3DKR SQJA20EP-T1_GE3TR SQJA20EP-T1_GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SN65HVD233QDRQ1Texas Instruments
IPB010N06NATMA1Infineon Technologies
SQM60N20-35_GE3Vishay Siliconix
SI7172ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
ECS-3225MVQ-250-BP-TRECS Inc.
SQJ454EP-T1_GE3Vishay Siliconix
MC14066BDTR2Gonsemi
