NTMS4920NR2G
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
قسمت # NOVA:
312-2301206-NTMS4920NR2G
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
NTMS4920NR2G
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 30 V 10.6A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-SOIC | |
| شماره محصول پایه | NTMS4920 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | - | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 10.6A (Ta) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 4.3mOhm @ 7.5A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 58.9 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 30 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 4068 pF @ 25 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 820mW (Ta) | |
| نامهای دیگر | NTMS4920NR2G-ND NTMS4920NR2GOSTR NTMS4920NR2GOSDKR NTMS4920NR2GOSCT ONSONSNTMS4920NR2G 2156-NTMS4920NR2G-OS |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
SI4634DY-T1-E3Vishay Siliconix- SI4442DY-T1-E3Vishay Siliconix
IRF8721TRPBFInfineon Technologies