IXFN56N90P

MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
قسمت # NOVA:
312-2276652-IXFN56N90P
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
IXFN56N90P
بسته استاندارد:
10
برگه اطلاعات فنی:

N-Channel 900 V 56A (Tc) 1000W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهIXYS
RoHS 1
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبChassis Mount
بسته دستگاه تامین کننده SOT-227B
شماره محصول پایه IXFN56
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهHiPerFET™, Polar
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 56A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 135mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 6.5V @ 3mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 375 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / موردSOT-227-4, miniBLOC
Vgs (حداکثر)±30V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)900 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 23000 pF @ 25 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 1000W (Tc)

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.