TPN7R006PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON
قسمت # NOVA:
312-2285598-TPN7R006PL,L1Q
شماره قطعه سازنده:
TPN7R006PL,L1Q
بسته استاندارد:
5,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 54A (Tc) 630mW (Ta), 75W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | 175°C | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| شماره محصول پایه | TPN7R006 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | U-MOSIX-H | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 54A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 7mOhm @ 27A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 200µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 1875 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 630mW (Ta), 75W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 264-TPN7R006PLL1QCT 264-TPN7R006PLL1QTR TPN7R006PL,L1Q(M 264-TPN7R006PLL1QDKR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
TPN4R806PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPN11006PL,LQToshiba Semiconductor and Storage