TPN4R806PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
قسمت # NOVA:
312-2281987-TPN4R806PL,L1Q
شماره قطعه سازنده:
TPN4R806PL,L1Q
بسته استاندارد:
5,000
برگه اطلاعات فنی:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| دسته بندی | ترانزیستور - FET، ماسفت - تک | |
| سازنده | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | 175°C | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| شماره محصول پایه | TPN4R806 | |
| فن آوری | MOSFET (Metal Oxide) | |
| سلسله | U-MOSIX-H | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 72A (Tc) | |
| ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن) | 4.5V, 10V | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 3.5mOhm @ 36A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 300µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| ویژگی FET | - | |
| بسته / مورد | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (حداکثر) | ±20V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 60 V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | 2770 pF @ 30 V | |
| اتلاف نیرو (حداکثر) | 630mW (Ta), 104W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 264-TPN4R806PLL1QTR 264-TPN4R806PLL1QCT 264-TPN4R806PLL1QDKR TPN4R806PL,L1Q(M |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
LAN8742AI-CZ-TRMicrochip Technology
EB2532JA12-25.000M TREcliptek
MAX17613AATP+Analog Devices Inc./Maxim Integrated
CHS-02TANidec Copal Electronics
TUSB320HIRWBRTexas Instruments
ECS-240-9-33B-CWN-TRECS Inc.
MC74VHC1G09DFT1Gonsemi
MIC5332-SSYMT-TRMicrochip Technology
LM74700QDBVRQ1Texas Instruments
