IXDN75N120

IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Número de pieza NOVA:
306-2342756-IXDN75N120
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXDN75N120
Embalaje estándar:
10
Hoja de datos técnicos:

IGBT Module NPT Single 1200 V 150 A 660 W Chassis Mount SOT-227B

More Information
CategoríaTransistores - IGBT - Módulos
FabricanteIXYS
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeChassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-227B
Número de producto base IXDN75
AporteStandard
ConfiguraciónSingle
Serie-
Corriente: corte del colector (máx.)4 mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 5.5 nF @ 25 V
Termistor NTCNo
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)1200 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 150 A
Paquete / CajaSOT-227-4, miniBLOC
Tipo de IGBTNPT
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A
Potencia - Máx. 660 W

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