SI7149ADP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
Número de pieza NOVA:
312-2282080-SI7149ADP-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7149ADP-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Número de producto base | SI7149 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5125 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 5W (Ta), 48W (Tc) | |
| Otros nombres | SI7149ADP-T1-GE3TR SI7149ADP-T1-GE3CT SI7149ADP-T1-GE3DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SI7139DP-T1-GE3Vishay Siliconix
PCA9306DQERTexas Instruments- SI7145DP-T1-GE3Vishay Siliconix
SN65LBC031QDTexas Instruments
BC807-25LT1Gonsemi
AO3401AAlpha & Omega Semiconductor Inc.
FT232RQ-REELFTDI, Future Technology Devices International Ltd
SN74LVC1G14DCKRTexas Instruments
SI4143DY-T1-GE3Vishay Siliconix
LM1117DT-5.0/NOPBTexas Instruments- SI7149DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BZT52C15-7-FDiodes Incorporated
DMN6075S-7Diodes Incorporated
