SQ2351ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2285057-SQ2351ES-T1_BE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQ2351ES-T1_BE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 20 V 3.2A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número de producto base | SQ2351 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 330 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 2W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SQ2351ES-T1_BE3CT 742-SQ2351ES-T1_BE3TR 742-SQ2351ES-T1_BE3DKR |
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