IRFSL3607PBF

HEXFET POWER MOSFET
Número de pieza NOVA:
312-2294636-IRFSL3607PBF
Número de parte del fabricante:
IRFSL3607PBF
Embalaje estándar:
1
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteInternational Rectifier
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-262
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieHEXFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)75 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3070 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.) 140W (Tc)
Otros nombres2156-IRFSL3607PBF
IFEIRFIRFSL3607PBF

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