IXTT1N450HV
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
Número de pieza NOVA:
312-2263645-IXTT1N450HV
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTT1N450HV
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 4500 V 1A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268AA
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-268AA | |
| Número de producto base | IXTT1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 85Ohm @ 50mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 6.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 4500 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1730 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 520W (Tc) |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
- IXTT1N250HVIXYS
- IXTA02N250HVIXYS
- SCT2H12NYTBRohm Semiconductor
- IXTL2N470IXYS
- IXTT02N450HVIXYS
- IXTH02N450HVIXYS
- IXTX1R4N450HVIXYS
- IXTF1R4N450IXYS
- IXTH1N450HVIXYS
- IXTT1N300P3HVIXYS
- IXTF02N450IXYS










