FDS6576

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MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Número de pieza NOVA:

312-2278004-FDS6576

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FDS6576

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

P-Channel 20 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	FDS65
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	PowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	14mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	60 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4044 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)	2.5W (Ta)
Otros nombres	FDS6576CT FDS6576TR FDS6576-ND FDS6576DKR