CSD16325Q5

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Texas Instruments
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-VSON-CLIP (5x6)
Número de producto base	CSD16325
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	33A (Ta), 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	+10V, -8V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4000 pF @ 12.5 V
Disipación de energía (máx.)	3.1W (Ta)
Otros nombres	-CSD16325Q5-NDR 296-24964-1 296-24964-2 296-24964-6 -296-24964-1-ND

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