NTMS4816NR2G
MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Número de pieza NOVA:
312-2301187-NTMS4816NR2G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTMS4816NR2G
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 30 V 6.8A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
| Número de producto base | NTMS4816 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 18.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1060 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 780mW (Ta) | |
| Otros nombres | NTMS4816NR2G-ND ONSONSNTMS4816NR2G NTMS4816NR2GOSDKR NTMS4816NR2GOSCT NTMS4816NR2GOSTR 2156-NTMS4816NR2G-OS |
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