C3M0120065D

650V 120M SIC MOSFET
Número de pieza NOVA:
312-2293222-C3M0120065D
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
C3M0120065D
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 650 V 22A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteWolfspeed, Inc.
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
TecnologíaSiCFET (Silicon Carbide)
SerieC3M™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3.6V @ 1.86mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 28 nC @ 15 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-247-3
Vgs (Máx.)+19V, -8V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)650 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 640 pF @ 400 V
Disipación de energía (máx.) 98W (Tc)
Otros nombres1697-C3M0120065D
-3312-C3M0120065D

In stock Por favor contáctenos

Whatsapp

?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

?Encontramos otros productos que te pueden gustar!