IXTH11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Número de pieza NOVA:
312-2289876-IXTH11P50
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTH11P50
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 500 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) | |
| Número de producto base | IXTH11 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 300W (Tc) | |
| Otros nombres | IXTH11P50-NDR |
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