RQ6E050ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
Número de pieza NOVA:
312-2285028-RQ6E050ATTCR
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RQ6E050ATTCR
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 30 V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT6 (SC-95) | |
| Número de producto base | RQ6E050 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20.8 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 940 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.25W (Ta) | |
| Otros nombres | RQ6E050ATTCRTR RQ6E050ATTCRDKR RQ6E050ATTCRCT |
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