SI7308DN-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Número de pieza NOVA:
312-2291145-SI7308DN-T1-E3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI7308DN-T1-E3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

N-Channel 60 V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8
Número de producto base SI7308
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 58mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaPowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 665 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Otros nombresSI7308DN-T1-E3CT
SI7308DN-T1-E3DKR
SI7308DN-T1-E3TR
SI7308DNT1E3

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