IXTQ60N20L2
MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Número de pieza NOVA:
312-2312227-IXTQ60N20L2
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IXTQ60N20L2
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P | |
| Número de producto base | IXTQ60 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Linear L2™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 255 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 10500 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 540W (Tc) | |
| Otros nombres | -IXTQ60N20L2 |
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