SISS80DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Número de pieza NOVA:
312-2288152-SISS80DN-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SISS80DN-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
N-Channel 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8S | |
| Número de producto base | SISS80 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen IV | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 58.3A (Ta), 210A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 0.92mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 122 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8S | |
| Vgs (Máx.) | +12V, -8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6450 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 5W (Ta), 65W (Tc) | |
| Otros nombres | 742-SISS80DN-T1-GE3TR 742-SISS80DN-T1-GE3CT 742-SISS80DN-T1-GE3DKR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
SISA40DN-T1-GE3Vishay Siliconix