TPH5200FNH,L1Q

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Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP Advance (5x5)
Número de producto base	TPH5200
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	U-MOSVIII-H
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	26A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2200 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	78W (Tc)
Otros nombres	TPH5200FNHL1QDKR TPH5200FNHL1QCT TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNHL1QTR

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