IPP65R041CFD7XKSA1
650V FET COOLMOS TO247
Número de pieza NOVA:
312-2272584-IPP65R041CFD7XKSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPP65R041CFD7XKSA1
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-3-1 | |
| Número de producto base | IPP65R041 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ CFD7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 24.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 1.24mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 102 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4975 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 227W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPP65R041CFD7XKSA1 SP005413358 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
TP90H050WSTransphorm