IRF5210STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2283000-IRF5210STRLPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRF5210STRLPBF
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK | |
| Número de producto base | IRF5210 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 38A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 38A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 230 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2780 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) | |
| Otros nombres | IRF5210STRLPBF-ND IRF5210STRLPBFTR SP001554020 IRF5210STRLPBFCT IRF5210STRLPBFDKR |
In stock ?Necesitas más?
1,14870 US$
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IRF9540NSTRLPBFInfineon Technologies
IRF9510STRLPBFVishay Siliconix
IRF5210LPBFInfineon Technologies- AUIRF5210STRLInfineon Technologies
- IRF3710STRLPBFInfineon Technologies
BSC123N08NS3GATMA1Infineon Technologies
MAX5903NNETT+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
IRS20957STRPBFInfineon Technologies
BSS123onsemi
MT25QL02GCBB8E12-0AATMicron Technology Inc.- IRF540NSTRLPBFInfineon Technologies
MMBTA06-7-FDiodes Incorporated
