IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Número de pieza NOVA:
312-2291107-IPD60R380P6ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPD60R380P6ATMA1
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO252-3 | |
| Número de producto base | IPD60R380 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P6 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.5V @ 320µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 877 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 83W (Tc) | |
| Otros nombres | SP001135814 IPD60R380P6ATMA1DKR IPD60R380P6ATMA1CT IPD60R380P6ATMA1TR |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
ZVN0545GTADiodes Incorporated
IPD60R600P6ATMA1Infineon Technologies
