PMV213SN,215

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MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB

Número de pieza NOVA:

312-2282445-PMV213SN,215

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

PMV213SN,215

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

N-Channel 100 V 1.9A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-236AB
Número de producto base	PMV213
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	250mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	330 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	280mW (Tj)
Otros nombres	934057521215 568-8112-1-ND 568-8112-1 568-8112-2 PMV213SN,215-ND PMV213SN T/R 1727-6294-6 568-8112-6 2156-PMV213SN,215-NEX PMV213SN215 1727-6294-1 568-8112-6-ND 1727-6294-2 NEXNEXPMV213SN,215 PMV213SN T/R-ND 568-8112-2-ND