IRF7601TRPBF
MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Número de pieza NOVA:
312-2275139-IRF7601TRPBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRF7601TRPBF
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 20 V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Micro8™ | |
| Número de producto base | IRF7601 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 3.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 700mV @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 22 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 650 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta) | |
| Otros nombres | IRF7601TRPBFTR IRF7601TRPBF-ND IRF7601TRPBFDKR IRF7601TRPBFCT SP001570552 |
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