IPU95R3K7P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Número de pieza NOVA:
312-2264282-IPU95R3K7P7AKMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPU95R3K7P7AKMA1
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 | |
| Número de producto base | IPU95R3 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ P7 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 800mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 40µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 950 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 196 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 22W (Tc) | |
| Otros nombres | 2156-IPU95R3K7P7AKMA1 SP001792320 IFEINFIPU95R3K7P7AKMA1 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
PN2222ANTE Electronics, Inc
SMZJ3788B-E3/52Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IM06TSTE Connectivity Potter & Brumfield Relays
STP3NK90ZSTMicroelectronics
LS4148-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N4746Aonsemi