SISH892BDN-T1-GE3

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N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Número de pieza NOVA:

312-2297021-SISH892BDN-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SISH892BDN-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

N-Channel 100 V 6.8A (Ta), 20A (Tc) 3.4W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8DC
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	6.8A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	30.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	26.5 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1110 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	3.4W (Ta), 29W (Tc)
Otros nombres	742-SISH892BDN-T1-GE3DKR 742-SISH892BDN-T1-GE3TR 742-SISH892BDN-T1-GE3CT